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三星突破10纳米DRAM瓶颈_蜘蛛资讯网

生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。          工作晶片代表设计与工艺方向正确，后续将进入良率提升与可靠性验证阶段。三星规划：2026

;       据行业信息，三星上月运用10a工艺完成晶圆生产，并通过特性测试确认晶片正常运行。该成果为全球首次融合4F²单元结构与垂直沟道晶体管（VCT）工艺的实践。DRAM节点序列中，10a是1d之后首个实际线宽低于10纳米的节点，专家估算其线宽为9.5–9.7nm。       &n

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发布时间：00:28:58